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MXN3349是VDS=-30V, ID=-50A,RDS(ON)(Typ.)=5.8mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)(Typ.)=8mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强模式功率Mosfet。提供DFN3x3封装。

MXN3349使用先进的沟槽技术，该技术经过专门定制，可最大限度地降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

MXN3349 描述:

MXN3349是VDS=-30V, ID=-50A,RDS(ON)(Typ.)=5.8mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)(Typ.)=8mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强模式功率Mosfet。提供DFN3x3封装。

MXN3349使用先进的沟槽技术，该技术经过专门定制，可最大限度地降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

MXN3349 一般特性:

VDS=-30V, ID=-50A

RDS(ON)(Typ.)=5.8mΩ@VGS=-10V

RDS(ON)(Typ.)=8mΩ@VGS=-4.5V

先进的高单元密度沟槽技术

低栅极电荷

100%EAS保证

绿色设备可用

MXN3349 应用:

电源管理开关

电池保护应用

MXN3349 引脚:

MXN3349 订购信息:

型号	存储温度	封装	卷盘
MXN3349	-55°C to 150°C	DFN3x3	5000

MXN3349 测试电路：