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PES230N10K是VDS=100V, ID=50A，RDS(ON)<23mΩ@VGS=10V，RDS(ON)<33mΩ@VGS=4.5V的N通道增强模式电源MOSFET。提供TO-252-2L封装。

PES230N10K采用深沟槽技术，提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。它可以用于各种各样的应用。

PES230N10K 描述:

PES230N10K是VDS=100V, ID=50A，RDS(ON)<23mΩ@VGS=10V，RDS(ON)<33mΩ@VGS=4.5V的N通道增强模式电源MOSFET。提供TO-252-2L封装。

PES230N10K采用深沟槽技术，提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。它可以用于各种各样的应用。

PES230N10K 一般特性:

VDS=100V, ID=50A

RDS(ON)<23mΩ @VGS=10V

RDS(ON)<33mΩ @VGS=4.5V

高功率和电流处理能力

获得无铅产品

表面安装组件

PES230N10K 应用：

高频开关

同步整流

PES230N10K 开关测试电路:

PES230N10K 开关波形: