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单N-MOS

CST10N06 TO252

    CST10N06是BVDSS=60V,RDSON=60mΩ,ID=10A的N-Ch快速切换Mosfets。提供TO252封装。
    CST10N06是高单元密度沟槽式N沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。
    CST10N06符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,并通过了全功能可靠性认证。
    CST10N06 描述:
        CST10N06是BVDSS=60V,RDSON=60mΩ,ID=10A的N-Ch快速切换Mosfets。提供TO252封装。
        CST10N06是高单元密度沟槽式N沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。
        CST10N06符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,并通过了全功能可靠性认证。

    CST10N06 特性:
    100%EAS保证
    绿色设备可用
    超低栅极电荷
    出色的CdV/dt效应下降
    先进的高细胞密度沟槽技术

    CST10N06 产品概览:
    BVDSS
    RDSON
    ID

    60V

    60mΩ

    10A


    CST10N06 TO252 引脚配置:
    CST10N06 测试电路和波形:

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