CST83G30F是N-Channel：VDS=30V, ID=30A，RDS(ON)<10.5mΩ@VGS=10V，RDS(ON)<18mΩ@VGS=4.5V；P-Channel：VDS=-30V, ID=-30A，RDS(ON)<22mΩ@VGS=-10V，RDS(ON)<30mΩ@VGS=-4.5V的N+P双通道增强模式电源Mosfet。提供DFN5x6-8L封装。

    CST83G30F采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS（ON）和低栅极电荷。它可以用于各种应用。