PE2300是N沟道增强型功率MOSFET,
PE2300采用先进的沟槽技术提供,良好的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极操作,电压低至2.5V。
PE2300采用SOT23封装。适用于电池保护或其他开关应用。
PE2300特性:
VDS = 20V,ID = 4.5A
RDS(ON) < 40m? @ VGS=2.5V
RDS(ON) < 33m? @ VGS=4.5V
丝印:AE9T

PE2300典型应用电路图和脚位和丝印

![]() |
俞小姐 |
![]() |
13823761625 0755-27595155 |
![]() |
Sales@ChipSourceTek.com |
![]() |
深圳市宝安区福永街道怀德社区明禧创意园A3栋302室 |