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CST6G03L是N-Ch：BVDSS=30V, RDSON=18mΩ,ID=6A;P-Ch：BVDSS=-30V, RDSON=36mΩ,ID=-6A的N+P双通道快速切换Mosfet。提供SOT23-6L封装。

CST6G03L是性能最高的沟槽N沟道和P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。

CST6G03L符合RoHS和绿色产品要求，100%EAS保证，全功能可靠性获得批准。

CST6G03L概述:

CST6G03L是N-Ch：BVDSS=30V, RDSON=18mΩ,ID=6A;P-Ch：BVDSS=-30V, RDSON=36mΩID=-6A的N+P双通道快速切换Mosfet。提供SOT23-6L封装。

CST6G03L是性能最高的沟槽N沟道和P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。

CST6G03L符合RoHS和绿色产品要求，100%EAS保证，全功能可靠性获得批准。

CST6G03L特点:

* 先进的高细胞密度沟槽技术

* 超低栅极电荷

* 出色的CdV/dt效应下降

* 100%EAS保证

* 绿色设备可用

CST6G03L应用：

* 半桥和逆变器的功率管理

* DC-DC转换器

* 负载开关

CST6G03L产品概述:

CST6G03L SOT23-6L引脚配置:

CST6G03L SOT23-6L 封装信息: