CST23G12 描述:
CST23G12是N-Channel：VDS=20V, ID=3A，RDS(ON)<65mΩ@VGS=4.5V，RDS(ON)<90mΩ@VGS=2.5V；P-Channel：VDS=-20V, ID=-2.5A，RDS(ON)<110mΩ@VGS=-4.5V，RDS(ON)<140mΩ@VGS=-2.5V的N+P双通道增强模式电源Mosfet。提供SOT-23-6L封装。
CST23G12采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS（ON）和低栅极电荷。可用于各种应用。
CST23G12 一般特性:
* N-Ch
* VDS=20V, ID=3A
RDS(ON)<65mΩ@VGS=4.5V
RDS(ON)<90mΩ@VGS=2.5V
* P-Ch
* VDS=-20V, ID=-2.5A
RDS(ON)<110mΩ@VGS=-4.5V
RDS(ON)<140mΩ@VGS=-2.5V
*高功率和电流处理能力
*获得无铅产品
*表面安装组件
CST23G12 应用：
*PWM应用
*电源管理
CST23G12 Test Circuit：
CST23G12 SOT-23-6L 封装信息：
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