CST30V03D 描述:
CST30V03D是BVDSS=30V,RDSON=8mΩ,ID=30A的双N沟道Mosfet。提供PDFN3333-8L封装。
CST30V03D是高单元密度沟槽N沟MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDSON和栅极电荷。
CST30V03D符合RoHS和绿色产品要求，100%EAS保证，全功能可靠性获得批准。
CST30V03D 特点:
绿色设备可用
超低栅极电荷
出色的CdV/dt效应下降
先进的高细胞密度沟槽技术
CST30V03D 产品概述:
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BVDSS
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RDSON
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ID
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30V |
8mΩ |
30A |
CST30V03D PDFN3333-8L 引脚配置:
CST30V03D 测试电路:
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