CST3350M 描述:
CST3350M是BVDSS=20V,RDSON=3.2mΩ,ID=50A的双N沟道Mosfet。提供DFN3030-8L封装。
CST3350M 特点:
沟槽FET功率MOSFET
优秀的RDS（打开）
低栅极电荷
高功率和电流处理能力
表面安装组件
ESD额定值：2000V HBM
CST3350M 产品概述:
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BVDSS
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RDSON
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ID
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20V |
3.2mΩ |
50A |
CST3350M DFN3030-8L 引脚配置:
CST3350M DFN3030-8L 包装数据:
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