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CST3330M是BVDSS=20V,RDSON=5.8mΩ,ID=30A的双N沟道Mosfet。提供DFN3030-8L封装。

CST3330M 描述:

CST3330M是BVDSS=20V,RDSON=5.8mΩ,ID=30A的双N沟道Mosfet。提供DFN3030-8L封装。

CST3330M 特性：

沟槽FET功率MOSFET

优秀的RDS（打开）

低栅极电荷

高功率和电流处理能力

表面安装组件

ESD额定值：2000V HBM

CST3330M 产品概述：

BVDSS	RDSON	ID
20V	5.8mΩ	30A

CST3330M DFN3030-8L 引脚配置：

CST3330M DFN3030-8L 包装数据：